Descripción
Este tipo de Transistor BJT TTA1943 TOSHIBA es muy utilizado para circuitos electrónicos en los que se requiera una amplificación de potencia. Es un transistor epitaxial, es decir que se elaboró a partir de un cristal semiconductor, o sustrato, del cual se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que el dispositivo. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, en este caso de silicio. Así mismo es un elemento PNP y TH (through hole) con encapsulado TO-3.
El TTA1943 de TOSHIBA tiene una gran cantidad de aplicaciones en el mundo industrial, pero es más comunmente utilizado para circuitos de administración de potencia, también puede usarse para electrónica de consumo y dispositivos portátiles.
Transistor BJT TTA1943 TOSHIBA características:
- El voltaje de colector a emisor (Vce) es de -230V
- La corriente de colector (Ic) es de -15A
- Disipación de energía (Pd) de 150W
- Voltaje de saturación de colector a emisor de -3V a -8A de corriente de colector
- Ganancia de corriente CD (hFE) de 80 a -1A de corriente de colector
- Rango de temperatura de unión de 150 °C
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